| IXTY1R6N100D2 | |
|---|---|
| Varenummer | IXTY1R6N100D2 |
| Fabrikant | IXYS |
| Beskrivelse | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 |
| Mængde Tilgængelig | 60467 pcs new original in stock. Anmod om lager og tilbud |
| Dataark | IXTY1R6N100D2.pdf |
| IXTY1R6N100D2 Price |
Anmod om pris og leveringstid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information af IXTY1R6N100D2 | |||
|---|---|---|---|
| Producentens varenummer | IXTY1R6N100D2 | Kategori | Diskrete halvlederprodukter |
| Fabrikant | IXYS / Littelfuse | Beskrivelse | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 |
| Pakke / tilfælde | TO-252AA | Mængde Tilgængelig | 60467 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | Vgs (Max) | ±20V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverandør Device Package | TO-252AA |
| Serie | Depletion | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) | Pakke / tilfælde | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pakke | Tube | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | FET Type | N-Channel |
| FET-funktion | Depletion Mode | Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | - |
| Afløb til Source Voltage (VDSS) | 1000 V | Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
| Basisproduktnummer | IXTY1 | ||
| Hent | IXTY1R6N100D2 PDF - EN.pdf | ||
Produktmodel
IXTY1R6N100D2
Introduktion
Høj spænding, N-kanal Depletion Mode MOSFET
Mærke og Producent
IXYS Corporation
Funktioner
N-Kanal MOSFET, Depletion Mode, Høj gennembrydning spænding: 1000V (1kV), Gate ladning (Max): 27nC
Produktpræstation
Kontinuerlig dræningsstrøm: 1,6A ved 25°C, Effektfordeling (Max): 100W, On-modstand: 10 Ohm ved 800mA, 0V, Lav gate ladning
Tekniske Specifikationer
FET-type: N-Kanal, Dræn til kilde spænding (Vdss): 1000V, Strøm - kontinuerlig dræning (Id): 1,6A, Rds On: 10 Ohm, Indgangskapacitans (Ciss): 645pF
Dimensioner, Form og Forpakning
TO-252-3, DPak (2 ledere + tab), SC-63 kabinet, Overflademontering, Pakket i rør
Kvalitet og Tillid
Fungerer ved -55°C til 150°C
Produktfortrinn
Robust design til høj spændingsapplikationer
Produktkonkurrenceevne
Optimeret til energikonvertering
Kompatibilitet
Kompatibel med standard overflademonteringsmetoder
Standardcertificering og Overholdelse
RoHS-kompatibel, Blyfri
Levetid og Bæredygtighed
Designet til langvarig pålidelighed
Virkelige Anvendelsesområder
Energistyring, Spændingsreguleringssystemer, Switch Mode Power Supplies (SMPS)
Email os: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ IXTY1R6N100D2 online.
| IXTY1R6N100D2 Lager | IXTY1R6N100D2 Pris | IXTY1R6N100D2 Elektronik | |||
| IXTY1R6N100D2 Komponenter | IXTY1R6N100D2 Lagerbeholdning | IXTY1R6N100D2 Digikey | |||
| Leverandør IXTY1R6N100D2 | Bestil IXTY1R6N100D2 online | IXTY1R6N100D2 Forespørgsel | |||
| IXTY1R6N100D2 Billede | IXTY1R6N100D2 Billede | IXTY1R6N100D2 PDF | |||
| IXTY1R6N100D2 Datablad | Download IXTY1R6N100D2 datablad | Producent IXYS / Littelfuse | |||
| Relaterede dele til IXTY1R6N100D2 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Billede | Varenummer | Beskrivelse | Fabrikant | Få et citat | |
 |
IXTY1R4N60P | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | IXYS | ||
 |
IXTY1N120PTRL | MOSFET N-CH 1200V 1A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY26P10T-TRL | MOSFET P-CH 100V 26A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY2N100P | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R6N50P | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY24N15T | MOSFET N-CH 150V 24A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N100P | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N60P TRL | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R6N50D2-TRL | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA | IXYS | ||
|
IXTY26P10T | MOSFET P-CH 100V 26A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N120PHV | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1N80P-TRL | MOSFET N-CH 800V 1A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R4N120P-TRL | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY2N60P | MOSFET N-CH 600V 2A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA | IXYS | ||
|
IXTY2N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 2A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1R6N100D2-TRL | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 | IXYS | ||
|
IXTY1N80P | MOSFET N-CH 800V 1A TO252 | IXYS | ||
Nyheder
Mere
Den 19. april 2026 (lokal tid) afslørede medierapporter, der citerer kilder, der er fortrolige med sagen, at Google, et datterselskab af Alphabet, er...
Ifølge *The Business Times* begyndte TSMCs CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) pilotproduktionslinje at levere udstyr til sit R&D-team i februar, hvor...
Den 6. april lokal tid annoncerede den amerikanske kunstig intelligens (AI)-teknologigigant Anthropic, at den har underskrevet en ny aftale med Google...
Den 1. april annoncerede Microsoft, at det ville investere 5,5 milliarder dollars i Singapore for at fortsætte med at udvide sin cloud- og kunstig in...
Samsung Electronics vil være den første til udelukkende at levere sin næste generation af HBM4 til OpenAI, verdens største kunstig intelligens (AI...
Nye produkter
Mere
Texas Instruments TPS92542-Q1 Synkron Boost-controller indeholder et synkron boostcontroller og en to-kanals monolitisk synkron bukke LED-driver med e...
Toshiba TB67H453 Single Channel H-Bridge Driver har en aktuel overvågningsfunktion med spændingsfeedback fra Isense-output-stiften.Enhedens absolutt...
Stmicroelectronics STSAFE-A120 Autentificering ICS er meget sikre integrerede kredsløb designet til at beskytte følsomme data og enheder gennem avan...
Stmicroelectronics stsafe-A optimeret godkendelses ICS gearing Advanced Cryptographic Algorithms and Key Management Techniques for at beskytte følsom...
Dioder Incorporated PI3DPX1235Q 6: 4 Crossbar Linear Redriver understøtter DP Link-Training Transparent til kildeside-applikationer.PI3DPX1235Q overh...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TLF: +852 30501966Adresse: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hongkong.
Ophavsretsmeddelelse © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Alle rettigheder forbeholdes.