AS6C62256-55SINTR SRAM: Pinout, specifikationer, timing og alternative produkter
2026-09-30 357

AS6C62256-55SINTR er en lav-effekt 256 Kbit SRAM fra Alliance Memory. Den leverer en 55 ns adgangstid og en 8-bit parallel interface til midlertidig datalagring. Denne vejledning forklarer dens pinout, elektriske specifikationer, læse- og skrive-timing, dataretention, pakke og mulige alternativer.

Katalog

Figur 1. AS6C62256-55SINTR 28-Pin SOP Pakke

AS6C62256-55SINTR Oversigt

AS6C62256-55SINTR er en 256 Kbit SRAM fra Alliance Memory med en 55 ns adgangstid og et industrielt drifts temperaturinterval på −40 °C til +85 °C. Den bruger en 28-pin, 330 mil SOP overflademonteret pakke.

Alliance's datablade identificerer 55SIN som den 55 ns industrielle SOP-version. Alliance opfører også AS6C62256-55SIN som den 55 ns industrielle SOP bestillingsversion. En produktliste for den fulde AS6C62256-55SINTR bestillingskode specificerer tape-and-reel emballage.

Indsend en RFQ for at bekræfte kvantitet, pris, datokode, tilstand, emballage og leveringstid.

AS6C62256-55SINTR Arkitektur og Pinout

AS6C62256-55SINTR indeholder en 32K × 8 hukommelsesarray. Adresse indgange A0–A14 passerer gennem adressedecoderen for at vælge en af dens 32.768 placeringer. Under en læsning rejser det valgte 8-bit ord sig gennem kolonne I/O og datacirkuitter til DQ0–DQ7. Under en skrivning følger data den samme vej ind i den valgte placering.

Kontrolcirkuitet bruger CE# til at vælge chip, WE# til at styre skrivning, og OE# til at aktivere udgange under en læsning. # angiver et aktivt-lav signal. VCC er strømforsyningsstiften, og VSS er jord.

Driftsmode	CE#	OE#	WE#	DQ0–DQ7
Standby	H	X	X	Høj impedans
Udgange deaktiveret	L	H	H	Høj impedans
Læsning	L	L	H	Dataudgang
Skrivning	L	X	L	Datatilførsel

H betyder høj, L betyder lav, og X betyder enten tilstand. Driftsmoderne følger Alliance Memory's sandhedstabel.

Figur 2. Forenklet Funktionsblokdiagram af AS6C62256-55SINTR SRAM, Tegnet om fra Alliance Memory Datablad

Pin	Signal	Pin	Signal
1	A14	28	VCC
2	A12	27	WE#
3	A7	26	A13
4	A6	25	A8
5	A5	24	A9
6	A4	23	A11
7	A3	22	OE#
8	A2	21	A10
9	A1	20	CE#
10	A0	19	DQ7
11	DQ0	18	DQ6
12	DQ1	17	DQ5
13	DQ2	16	DQ4
14	VSS	15	DQ3

Figur 3. AS6C62256-55SINTR 28-Pind SOP Pinout (Top View)

Brug PDIP/SOP pin-diagrammet for denne parts 28-pinds SOP-pakke. sTSOP-versionen har en anden pin-arrangement.

AS6C62256-55SINTR Funktioner og Elektriske Specifikationer

AS6C62256-55SINTR fungerer uden opfriskning og leverer TTL-kompatible indgange og udgange. Dets tre-stats udgange tillader data bus at blive delt, når chip'en er deaktiveret. Tabellerne nedenfor viser specifikationer for den industrielle temperatur, 28-pinds SOP variant. En streg betyder, at ingen værdi er angivet.

Generelle specifikationer

Parameter	AS6C62256-55SINTR Specification
Hukommelsesorganisation	32,768 × 8 bits (256 Kbit)
Driftsforsyningsspænding, VCC	2,7 til 5,5 V
Adgangstid	55 ns maksimum
Drifts-temperatur, TA	−40 til +85 °C
Pakke	28-pinds, 330 mil SOP
Emballagetype	Tape og reel
Overensstemmelse	RoHS-kompatibel

Absolutte maksimumvurderinger

Parameter	Symbol	Vurdering
Terminalspænding i forhold til VSS	VTERM	−0,5 til +7,0 V
Drifts-temperatur, industriel kvalitet	TA	−40 til +85 °C
Opbevaringstemperatur	TSTG	−65 til +150 °C
Effektfordeling	PD	1 W
DC output-strøm	IOUT	50 mA
Loddetemperatur	TSOLDER	260 °C i mindre end 10 sekunder

Absolutte maksimum vurderinger er stressgrænser, ikke driftsbetingelser. Alliance Memory opgiver det industrielle temperaturinterval i denne tabel og identificerer AS6C62256-55SIN som den industrielle SOP variant i sin bestillingsinformation.

DC Elektriske karakteristika

Parameter	Symbol	Testbetingelse	Min.	Typ.	Max.
Indgangshøj spænding	VIH	Normal drift	2,4 V	—	VCC + 0,5 V
Indgangslav spænding	VIL	Normal drift	−0,5 V	—	0,6 V
Indgangs lækagestrøm	ILI	VSS ≤ VIN ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Udgange lækagestrøm	ILO	Output deaktiveret; VSS ≤ VOUT ≤ VCC	−1 µA	—	+1 µA
Udgange høj spænding	VOH	IOH = −1 mA	2,4 V	3,0 V	—
Udgange lav spænding	VOL	IOL = 2 mA	—	—	0,4 V
Driftsforsyningsstrøm	ICC	Minimum cyklustid; CE# = VIL; I/O = 0 mA	—	15 mA	45 mA
Driftsforsyningsstrøm	ICC1	1 µs cyklus; CE# ≤ 0,2 V; I/O = 0 mA; andre ben ved 0,2 V eller VCC − 0,2 V	—	3 mA	10 mA
Standby forsyningsstrøm	ISB	CE# = VIH	—	1 mA	3 mA
Industriel standby forsyningsstrøm	ISB1	CE# ≥ VCC − 0,2 V; andre ben ved 0,2 V eller VCC − 0,2 V	—	1 µA	30 µA

Databladet tillader VIH op til VCC + 3,0 V og VIL ned til VSS − 3,0 V kun for pulser kortere end 10 ns. Disse er karakteriseret som overshoot og undershoot betingelser, ikke normale DC driftsgrænser. Især etablerer de ikke, at en kontinuerlig 5 V indgang er acceptabel, når VCC er 3,3 V. Typiske værdier er til reference og er ikke garanterede grænser. ISB1 værdien gælder kun under de angivne standby testbetingelser.

Kapacitans og AC Testbetingelser

Parameter	Betingelse	Værdi
Indgangskapacitans, CIN	TA = 25 °C; f = 1,0 MHz	6 pF maksimum
Indgangs/udgangskapacitans, CI/O	TA = 25 °C; f = 1,0 MHz	8 pF maksimum
Indgangspulsniveauer	AC timing test	0,2 V til VCC − 0,2 V
Indgangs stigning og fald tider	AC timing test	3 ns
Indgangs og udgangs timing reference	AC timing test	1.5 V
Output belastning	AC timing tests	CL = 50 pF + 1 TTL belastning; IOH/IOL = −1 mA/2 mA

Kapacitansgrænserne er garanteret gennem enhedskarakterisering, men er ikke produktionsprøvet.

AS6C62256-55SINTR Læse- og skrive-timing

AS6C62256-55SINTR understøtter adressekontrollerede læsninger og læsninger kontrolleret af CE# og OE#. En skrivning kan afsluttes, når enten WE# eller CE# stiger. Tabellerne angiver timinggrænserne for 55 ns-versionen.

Læsekredse

Figur 4. AS6C62256-55SINTR Læse-cyklus timing waveforms

Læsekreds 1, adressekontrolleret: Hold CE# og OE# lave og WE# høj. En ændring på A0–A14 vælger den næste hukommelsesplacering. Den gamle udgang forbliver gyldig kort efter adresseændringen, hvorefter DQ0–DQ7 præsenterer data fra den nye placering.

Læsekreds 2, CE# og OE# kontrolleret: Med WE# høj og adressen stabil, sænk CE# for at vælge chippen og OE# for at aktivere dens udgange. Data bliver gyldig, efter at de relevante adresse-, chip-enable- og output-enable-forsinkelser er udløbet. At hæve CE# eller OE# returnerer udgangene til høj impedans.

Parameter	Symbol	Min.	Max.
Læsekredstid	tRC	55 ns	—
Adresseadgangstid	tAA	—	55 ns
Chip-enable adgangstid	tACE	—	55 ns
Output-enable adgangstid	tOE	—	30 ns
Chip-enable til output i Low-Z	tCLZ*	10 ns	—
Output enable til output i Low-Z	tOLZ*	5 ns	—
Chip disable til output i High-Z	tCHZ*	—	20 ns
Output disable til output i High-Z	tOHZ*	—	20 ns
Output hold efter adresseændring	tOH	10 ns	—

Skrivecykler

Figur 5. AS6C62256-55SINTR Skrive-cyklus timing waveforms

Skrivekreds 1, WE# kontrolleret: Hold CE# lav, præsenter en gyldig adresse, og pulser WE# lav. Placer inddata på DQ0–DQ7 før WE# stiger. Den stigende kant afslutter skrivningen.

Skrivekreds 2, CE# kontrolleret: Hold WE# lav og pulser CE# lav, mens adressen og inddata er gyldige. Den stigende kant af CE# afslutter skrivningen. I begge cykler skal du tage højde for output-disable-forsinkelsen, før en ekstern enhed driver data på den delte DQ-bus.

Parameter	Symbol	Min.	Max.
Skrivecykeltid	tWC	55 ns	—
Adresse gyldig til slutning af skrivning	tAW	50 ns	—
Chip enable til slutning af skrivning	tCW	50 ns	—
Adresse opsætningstid	tAS	0 ns	—
Skrivepulslængde	tWP	45 ns	—
Skrivegenopretningstid	tWR	0 ns	—
Data-til-skriv overlap	tDW	25 ns	—
Data hold efter slutning af skrivning	tDH	0 ns	—
Output aktiv efter slutning af skrivning	tOW*	5 ns	—
Skriv til output i High-Z	tWHZ*	—	20 ns

Databladet specificerer CL = 5 pF for tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW, og tWHZ. Deres relevante High-Z og Low-Z overgangsintervaller måles ±500 mV fra den stabile output-niveau. Anvend ikke den generelle 50 pF + 1 TTL belastningsbetingelse på disse seks parametre. De stjernede parametre er garanteret gennem enhedskarakterisering, men er ikke produktionsprøvet.

AS6C62256-55SINTR Data Bevarelse

Figur 6. Forenklet AS6C62256 Data-bevarings waveform, Otegnet fra Alliance Memory Datablad

Før VCC falder under den normale 2.7 V minimum driftspænding, bring CE# høj. Under databevaring skal VCC forblive på eller over 1.5 V og CE# ≥ VCC − 0.2 V.

Parameter	Symbol	Testbetingelse	Min.	Typ.	Max.
Data-bevarings forsyningsspænding	VDR	CE# ≥ VCC − 0.2 V	1.5 V	—	5.5 V
Data-bevarings strøm	IDR	VCC = 2.0 V; CE# ≥ VCC − 0.2 V	—	0.5 µA	20 µA
Chip-disable til data-bevarings tid	tCDR	Før VCC falder under driftsområdet	0 ns	—	—
Genopretningstid	tR	Efter VCC vender tilbage til driftsområdet	tRC	—	—

Når VCC vender tilbage til det normale 2.7 V til 5.5 V driftsområde, vent mindst en læsekreds (tRC = 55 ns) før adgang til hukommelsen.

AS6C62256-55SINTR pakke dimensioner og CAD modeller

28-ben SOP pakke skitse

Figur 7. AS6C62256 28-ben, 330 mil SOP pakke skitse

AS6C62256-55SINTR bruger den 28-ben, 330 mil SOP pakke. Pakke tegningen viser enheden fra oven. Udvalgte pakke dimensioner vises nedenfor. Se Alliance Memory pakke tegningen for de fuldstændige dimensioner og tolerancer.

Tegning symbol	Dimension
A	3.048 mm maksimum
A1	0.05 mm minimum
A2	2.489 ± 0.127 mm
b	0.406 mm typisk
D	18.491 mm maksimum
E	8.636 mm maksimum
E1	11.811 ± 0.305 mm
e	1.270 mm typisk

Brug disse dimensioner med producentens tegning når du tjekker PCB fodaftryk og monteringsafstand.

Schematic Symbol, PCB Footprint, og 3D Model

Figur 8. AS6C62256-55SINTR skematisk symbol, 28-ben SOP PCB fodaftryk, og 3D pakke model

AS6C62256-55SINTR applikationer

Alliance Memory identificerer lavt strømforbrug og batteri-backup hukommelse som applikationer for AS6C62256. Nedenstående anvendelser er praktiske design eksempler. Egnethed afhænger af systemets forsyningsspænding, parallel interface, hukommelseskapacitet, og timing krav.

• Industrielle controllere: En industriel controller kan bruge SRAM til midlertidige målinger eller driftsdata. Med en passende backup-strøm kan den bevare data under en strømafbrydelse.

• Indlejrede systemer: Giver 32 KB arbejdshukommelse til en kompatibel controller.

• Bærbare instrumenter: Holder aflæsninger og midlertidige data i batteridrevet udstyr.

• Data logging udstyr: Buffrer målinger før behandling eller overførsel.

• Kommunikationsudstyr: Holder midlertidige data eller konfigurationsværdier i et kompatibelt design.

AS6C62256-55SINTR alternativer og kompatibilitetskontroller

Alliance Memorys nuværende krydshenvisning lister AS6C62256-55SINTR som en erstatning for CY62256NLL-55SNXIT. Den oplysning beskriver en substitution fra Cypress-delen til Alliance-delen. Den bekræfter ikke, at Cypress-delen vil fungere i den omvendte retning. Behandl den som en ingeniør kandidat, der kræver verifikation før brug som erstatning for en installeret AS6C62256-55SINTR.

Kandidat	Producent krydshenvisningsforhold	Tjek før reverse substitution
CY62256NLL-55SNXIT	Alliances nuværende krydshenvisning kortlægger denne Cypress ordre kode til AS6C62256-55SINTR.	Sammenlign forsyningsspænding, pinout, SOP fodaftryk, 55 ns timing, temperatur interval, og data-beholdningsgrænser.

Før du substituerer en anden enhed, sammenlign de komplette bestillingskoder, pin-forbindelser, PCB fodaftryk, forsyningsspænding, læse- og skrive-timing, driftstemperatur, og data-beholdningskrav.

Hvornår man skal vælge AS6C62256-55SINTR

Vælg AS6C62256-55SINTR når dit design kræver 32K × 8 asynkron SRAM med 55 ns adgang, et 2.7–5.5 V forsyningsområde, −40 °C til +85 °C industriel drift, og et 28-ben, 330 mil SOP fodaftryk. Det er også en kandidat til at opretholde et board, der allerede bruger denne præcise pakke og pinout.

Vælg en anden hukommelsesenhed hvis dit system har brug for et serielt interface, væsentligt mere kapacitet, eller et andet PCB fodaftryk. AS6C62256-55SINTR er flygtig: hvis data skal overleve tab af hovedforsyningen, skal dit design opretholde en passende beholdningsforsyning.

Tekniske Referencer

• Alliance Memory, AS6C62256 datablad, revision 1.2, 23. marts 2016.

• Alliance Memory, Cypress Semiconductor CY62256 Erstatning.

• Alliance Memory, Let tilgængelige drop-in erstatninger for CY62256 lavt strømforbrug SRAM'er, 2. august 2018.